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山本 博之; 馬場 祐治; 佐々木 貞吉
Photon Factory Activity Report, P. 366, 1995/00
一般に固体中における電子の平均自由行程は、その運動エネルギーによって変化することが知られている。この性質を利用し、放射光を用い照射するX線のエネルギーを変化させ、放出される光電子の運動エネルギーを変えることによって、XPSを用いた表面における深さ方向の解析が可能になると考えられる。本研究では、空気酸化したSi(100)およびO
注入Siを対象に、1.9~4.6keVの放射光ビームでSi1s光電子を発生させることにより、Si酸化層の膜厚測定を試みた。それぞれのh
において得られたSi/SiO
比の結果から、数nm程度の膜厚を評価することができた。